DDR3 4Gb (4Гб) 1600MHz оперативна пам'ять KVR16N11S8/4 PC3-12800 Kingston універсальна 4 Гб ДДР3 4096MB (ОЗП)
260 ₴
Показати оптові ціни- Немає в наявності
- Оптом і в роздріб
- Код: 770008491
- +380 (95) 786-21-91Vodafone (Viber)
- +380 (93) 197-28-66lifecell
Оперативна пам'ять Kingston DDR3-1600 4Gb PC3-12800 (KVR16N11S8/4)
Оригінальна планка пам'яті 4 гб ДДР3 (ОЗП). 4Gb DDR3 Kingston ефективно використовується як для складання ПК, так і для збільшення об'єму пам'яті. Може працювати як в режимі single, так і в dual. Підтримує спільну роботу з іншою, неоднорідною пам'яттю. Має розширений XMP профіль. Може працювати на частотах 1600, 1333 і 1066 МГц і таймінгах CL-11, 10, 9, 8.
Дізнатися, як швидко перевірити оперативну пам'ять на сумісність з Вашим ПК можна перейшовши по посиланню.
Переваги DDR3 4 Gb 1600MHz оперативної пам'яті
• Дана модель володіє завидною сумісністю, вона може працювати з будь-якими типами ДДР3 формату материнських плат.
• Ефективна і потужна, вона ще й дуже довговічна, так що зможе продовжити термін використання вашого комп'ютера.
• Значно підвищить швидкодію процесів на вашому ПК.
• Не треба звертатися до майстра для її установки, можна зробити це самостійно.
Оцініть наш асортимент та широкий вибір товарів!
• Ми працюємо для вас і робимо співпрацю максимально вигідною для обох сторін.
• Наші досвідчені працівники звернуть вашу увагу на важливі моменти і допоможуть підібрати відмінну модель.
Даний модуль має широкий діапазон робочих частот і таймінгів, які наведені нижче в таблиці.
| Module Manufacturer: | Kingston |
| Module Part Number: | 99P5474-013.A00LF |
| Module Series: | ValueRAM |
| DRAM Manufacturer: | Undefined |
| DRAM Components: | Not determined |
| DRAM Die Revision / Process Node: | N/A / Not determined |
| Module Manufacturing Date: | Week 31, 2018 |
| Module Manufacturing Location: | Shenzhen, China |
| Module Serial Number: | 03245181h |
| Module Revision: | 0000h |
| Fundamental Memory Class: | DDR3 SDRAM |
| Module Speed Grade: | DDR3-1600K |
| Module Type: | UDIMM (133,35 mm) |
| Module Capacity: | 4096 MB |
| Reference Raw Card: | G0 |
| Initial Raw Card Designer: | Not determined |
| Module Nominal Height: | 18 < H <= 19 mm |
| Module Thickness Maximum, Front: | 1 < T <= 2 mm |
| Module Thickness Maximum, Back: | T <= 1 mm |
| Number of DIMM Ranks: | 1 |
| Address Mapping from Edge Connector to DRAM: | Standard |
| DRAM Device Package: | Standard Monolithic |
| DRAM Device Package Type: | 78-ball FBGA |
| DRAM Device Die Count: | Not specified |
| Signal Loading: | Not specified |
| Number of Column Addresses: | 10 bits |
| Number of Row Addresses: | 16 bits |
| Number of Bank Addresses: | 3 bits (8 banks) |
| DRAM Device Width: | 8 bits |
| Programmed DRAM Density: | 4 Gb |
| Calculated DRAM Density: | 4 Gb |
| Number of DRAM components: | 8 |
| DRAM Page Size: | 1 KB |
| Primary Memory Bus Width: | 64 bits |
| Memory Bus Width Extension: | 0 bits |
| Supported Voltage Levels: | 1.50 V |
| Fine Timebase Dividend: | 1 |
| Fine Timebase Divisor: | 1 |
| Fine Timebase: | 0,0010 ns |
| Medium Timebase Dividend: | 1 |
| Medium Timebase Divisor: | 8 |
| Medium Timebase: | 0,125 ns |
| CAS# Latencies Supported (tCL): | 6T, 7T, 8T, 9T, 10T, 11T |
| Minimum Clock Cycle Time (tCK min): | 1,250 ns (800,00 MHz) |
| CAS# Latency Time (tAA min): | 13,125 ns |
| RAS# to CAS# Delay Time (tRCD min): | 13,125 ns |
| Row Active to Row Active Delay (tRRD min): | 6,000 ns |
| Row Precharge Delay Time (tRP min): | 13,125 ns |
| Active to Precharge Delay Time (tRAS min): | 35,000 ns |
| Act to Act/Refresh Delay Time (tRC min): | 48,125 ns |
| Refresh Recovery Delay Time (tRFC min): | 260,000 ns |
| Write Recovery Time (tWR min): | 15,000 ns |
| Write to Read Command Delay (tWTR min): | 7,500 ns |
| Read Command to Precharge Delay (tRTP min): | 7,500 ns |
| Four Active Windows Delay (tFAW min): | 30,000 ns |
| RZQ / 6 Drive Strength: | Supported |
| RZQ / 7 Drive Strength: | Supported |
| DLL-Off Mode Support: | Supported |
| Extended Temperature Range: | 0-95 °C |
| Extended Temperature Refresh Rate: | 2X (85-95 °C) |
| Auto Self Refresh (depending on temperature): | Not supported |
| Module Thermal Sensor: | Not Incorporated |
| On-die Thermal Sensor Readout: | Not supported |
| Partial Array Self Refresh: | Supported |
| SPD Revision: | 1.1 |
| SPD Total Bytes: | 256 |
| SPD Bytes Used: | 176 |
| SPD Checksum: | 48A9h (OK) |
| CRC covers bytes: | 0-116 |
| JEDEC DIMM Label: | 4GB 1Rx8 PC3-12800U-11-11-G0 |
| Frequency | CAS | RCD | RP | RAS | RC | RFC | RRD | WR | WTR | RTP |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 800 MHz | 11 | 11 | 11 | 28 | 39 | 208 | 5 | 12 | 6 | 6 |
| 667 MHz | 10 | 9 | 9 | 24 | 33 | 174 | 4 | 10 | 5 | 5 |
| 667 MHz | 9 | 9 | 9 | 24 | 33 | 174 | 4 | 10 | 5 | 5 |
| 533 MHz | 8 | 7 | 7 | 19 | 26 | 139 | 4 | 8 | 4 | 4 |
| 533 MHz | 7 | 7 | 7 | 19 | 26 | 139 | 4 | 8 | 4 | 4 |
| 400 MHz | 6 | 6 | 6 | 14 | 20 | 104 | 3 | 6 | 3 | 3 |
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Kingston |
| Країна виробник | Китай |
| Гарантійний термін | 12 міс |
| Кількість модулів у комплекті | 1 |
| Номінальна напруга, В | 1.5 В |
| Об'єм одного модуля | 4 GB |
| Особливості | Unbuffered, Низькопрофільна (Low Profile), non-ECC |
| Призначення | Для настільного ПК |
| Стан | Новий |
| Тип оперативної пам'яті | DDR3 |
| Форм-фактор | DIMM |
| Частота пам'яті | 1600 МГц |
| Користувацькі характеристики | |
| Гарантія | 12 місяців |
| Кількість планок | 1 |
| Об'єм пам'яті | 4 ГБ |
| Охолодження | Немає |
| Платформа | універсальна |
| Виробник пам'яті | Kingston |
| Пропускна здатність модуля | PC3-12800 |
| Робоча напруга | 1.5 В |
| Сумісність з сокетом | універсальна |
| Країна реєстрації бренда | США |
| Країна-виробник товару | Китай |
| Схема таймінгів пам'яті | CL11 |
| Тип пам'яті | DDR3 SDRAM |
| Формфактор | UDIMM |
| Частота модуля | 1600 МГц |
| Кількість ранків | 2 |
| Ефективна пропускна здатність | 12800 Мб/с |
- Ціна: 260 ₴